9月29日|東吳證券研報指出,9月26日,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正實現了從晶體生長、加工到檢測環節的全線設備自主研發,100%國產化,標誌着晶盛在全球SiC襯底技術從並跑向領跑邁進,邁入高效智造新階段。SiC憑藉其高熱導率和高工藝窗口,有望顯著提升CoWoS結構散熱並降低封裝尺寸。同時,SiC材料的高硬度和熱穩定性亦支持刻蝕工藝的引入,有效提升產能和良率。晶盛目前已經攻克12英寸碳化硅晶體生長中的温場不均、晶體開裂等核心難題,實現了12英寸超大尺寸晶體生長的技術突破,成功長出12英寸導電型碳化硅晶體。維持“買入”評級。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯